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Zakaria Al Balushi

La nomination

Membre du programme des chercheurs mondiaux CIFAR-Azrieli 2022-2024

Matériaux quantiques

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À Propos

Le groupe de recherche d’Al Balushi se penche sur la synthèse de matériaux électroniques en couches minces (hétérostructures de semi-conducteurs composés, matériaux quantiques, etc.) et en nanostructures (matériaux 2D, nanofils, points quantiques, etc.) à l’aide de techniques de dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour chemical vapor deposition). Il souhaite mettre au point de nouveaux procédés évolutifs de croissance cristalline, de traitement et d’intégration de matériaux émergents pour des appareils microélectroniques et photoniques, ainsi que pour des technologies quantiques émergentes. En outre, le groupe se penche sur la création de nouvelles plateformes de croissance in situ pour étudier les effets de proximité dans les hétérostructures de matériaux quantiques, ainsi que sur l’amélioration des capacités de sondes optiques in situ qui faciliteront la découverte de nouveaux matériaux métastables dotés d’états quantiques particuliers, et l’étude de leurs structures et propriétés pour de futures applications dans des appareils.

Prix

  • Prix CAREER de la National Science Foundation, 2022
  • Membre de la Société Hellman, 2021
  • Bourse SK Hynix, 2020
  • Prix Resnick de recherche postdoctorale, 2017
  • Prix Rustum et Della Roy d’innovation en recherche sur les matériaux, 2017

Publications Pertinentes

  • Al Balushi, Z. Y., Wang, K., Ghosh, R. K., Vilá, R. A., Eichfeld, S. M., Caldwell, J. D., ... et Robinson, J. A. (2016). Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation. Nature Materials, 15(11), 1166-1171.

institut

Université de la Californie à Berkeley

Département

Département de science et génie des matériaux

Éducation

  • Ph.D. (science et génie des matériaux), Université d’état de la Pennsylvanie
  • M.S. (génie), Université d’état de la Pennsylvanie
  • B.S. (génie), Université d’état de la Pennsylvanie

Pays

États Unis

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