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Luyi Yang

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  • Membre du programme de chercheurs mondiaux CIFAR-Azrieli 2016-2018
  • Matériaux quantiques

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À Propos

Le laboratoire de Luyi Yang met au point et utilise des techniques spectroscopiques optiques avancées pour étudier les interactions entre la lumière et la matière en physique de la matière condensée.

Actuellement, son groupe cherche à comprendre et à maîtriser les états de spin (dans certains cas particuliers, des états vallées) dans les semiconducteurs à faible dimensionnalité. Entre autres exemples, notons : puits quantiques semiconducteurs, points quantiques et matériaux de Dirac bidimensionnels (par ex., graphène et MoS2 monocouche). Ces nanostructures constituent de nouvelles plateformes pour réaliser des interactions novatrices entre la lumière et la matière, et s’avèrent aussi extrêmement utiles en électronique, en photonique et éventuellement dans des applications d’informatique quantique. Récemment, Yang a étudié de très longues relaxations et cohérences de spin dans des dichalcogénures métalliques de transition extrêmement minces à l’échelle atomique, comme le MoS2 et le WS2. Son groupe a découvert un nouveau mécanisme de déphasage des spins qui est propre à ces matériaux de Dirac bidimensionnels et qui est absent dans les semiconducteurs conventionnels de type III-V ou II-VI.

Prix

  • Bourse postdoctorale du directeur du LANL, 2014

Publications Pertinentes

  • Yang, L. et coll. « Long-lived nanosecond spin relaxation and spin coherence of electrons in monolayer MoS2 and WS2. » Nature Physics 11 (2015): 830–34.
  • Yang, L. et coll. « Spin coherence and dephasing of localized electrons in monolayer MoS2. » Nano Letters 15 (2015): 8250–8254.
  • Yang, L. et coll. « Long-lived nanosecond spin relaxation and spin coherence of electrons in monolayer MoS2 and WS2. » Nature Comm. 5 (2014).
  • Yang, L. et coll. « Doppler velocimetry of spin propagation in a two-dimensional electron gas. » Nature Physics 8 (2012): 153–57.
  • Yang, L. et coll. « Measurement of electron-hole friction in an n-doped GaAs/AlGaAs quantum well using optical transient grating spectroscopy. » Phys. Rev. Lett. 106 (2011).

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